у 2.0 редко объем бывает больше 8ми ГБ.. обычно в районе 2-4гб в конкретно данном случае объем ни какого значения не имеет.
я про то, что "заработало" не из за того, что объем какой то определенный, а потому что у флешки тип усб был 2.0 и объем ее никакого значения не имеет.
А вот интересно, если скажем 16гб флешку, каким ни будь приличным HDD редактором, хоть тем же, парагоном специально загрубить. Оставить один раздел на 2 гб к примеру, остальное тупо не форматировать и раздел не включать. Энергопотребление снизится ? И прибор ее будет видеть ? У кого такие приборы, нет настроения попробовать ?
Из параметров по FX-102 Съемный носитель информации USB флэш диски (до 8 ГБ) Коммуникационные порты RS232C / USB 2.0 Host (Тип А) / USB тип miniB https://www.gsi.ru/catalog/taheo/fx102 Из параметров по IM 102 Съемный носитель информации USB флэш диски (до 32 ГБ) Коммуникационные порты Последовательный RS232C / USB 2.0 Host (Тип А) https://www.gsi.ru/catalog/taheo/im102 Из параметров по IM 52 Съемный носитель информации USB флэш диски (до 32 ГБ) Коммуникационные порты Последовательный RS232C / USB 2.0 Host (Тип А) https://www.gsi.ru/catalog/taheo/im52 у вас даже лучше получается
Энергопотребление не снизится, контроллер флешки и модуль памяти будут потреблять столько же. Оффтоп (Move your mouse to the spoiler area to reveal the content) Модуль памяти флешки это гигантский массив конденсаторов. Каждый конденсатор можно зарядить/разрядить несколько сотен раз (в среднем порядка 200 раз), после чего он выходит из строя. Но кроме этого заряд в конденсаторе постоянно "стекает" (уменьшается), что в итоге может привести к ошибкам в чтении ранее сохранённых данных. По заявлениям производителей памяти этот заряд гарантированно держится 9 месяцев и в этот срок достоверно считаются данные, после этого срока никакой гарантии чтения ваших данных нет. Контроллер следит за тем чтобы каждый блок данных не превысил порог времени хранения. Каждый раз, когда вы вставляете флешку в USB порт, контроллер перезаписывает старые блоки данных (с истёкшим сроком или около того) на новое место. Как только флешка дойдёт до того состояния, когда блоки памяти израсходуют свой ресурс, контроллер переводит её в режим "только чтение" и у вас есть срок 9 месяцев чтобы перенести данные на другой носитель и выбросить флешку, записать на такую флешку больше ничего нельзя, это блокирует контроллер, который не управляется операционной системой, а является частью флешки. Это всё касается также SSD-накопителей. Все наработки с USB-flash дисков перекочевали на SSD(m.2 и пр.). Пресловутый TRIM это нововведение уже ПК (костыль, заменяющий то, что самостоятельно делал контроллер во Flash-дисках). Для того чтобы операции чтения/записи можно было ускорить в разы, пришлось отдать управление перезаписью старых данных операционной системе, но продвинутые современные контроллеры достигли таких скоростей при которых TRIM опять смог ими управляться напрямую без задействования операционной системы. Чтобы вам не утверждали производители USB флешек и SSD дисков по поводу вечности сохранённых данных... производители самой памяти дают вам 9 месяцев. Т.е., если записали на флешку или SSD диск, а потом вынули их из компьютера и больше не подключали, то через 9+ месяцев можете больше не увидеть своих данных (память не испортится, просто заряд стечёт и ничего не прочитаете). Чем раньше произведена SSD или флеш-память, тем дольше сохраняет она заряд по времени и тем дольше будет сохранность данных при отсутствии электропитания дисков. Это зависит от технологии производства. Первые модули памяти были типа SLC (одноуровневая ячейка), каждая ячейка памяти могла быть заряжена или разряжена, что читалось как 0 или 1 в двоичной системе. Уровень заряда был высокий и чтение данных после долгого срока хранения было достоверно. Заряд держится годами, или даже десятки лет. Следующим типом памяти была MLC (два бита на ячейку, скорость чтения/записи вдвое выше SLC). Чтобы это реализовать, пришлось весь электрозаряд ячейки разбивать на 4 градации (измерять напряжение на ячейке и по его показаниям получать состояние), 4, потому что 00-01-10-11, но это привело к уменьшению в 4(!!!) раза срока заряда при котором гарантированно данные читались достоверно. Заряд держится до нескольких лет. Следующим типом памяти была TLC (3 бита на ячейку, скорость чтения/записи втрое выше SLC). Чтобы это реализовать, пришлось электрозаряд ячейки разбивать на 8 градаций, почему 8 - см. выше. Это уменьшило время сохранения достоверного чтения данных из-за "стекания" заряда в 8(!!!) раз по сравнению со старыми SLC. Хоть производители и кричали о прорыве технологий и пр. лабуде, но по факту они в этом типе памяти содрали то что было в RAM-памяти компьютера (только вот RAM не предусмотрена для долговременного хранения данных). Заряд держится 9 месяцев. Современный тип памяти QLC (4 бита на ячейку и 16 уровней заряда). Это позволило в невероятно малых физических объёмах сохранять гигантский объём информации, а чтение/запись ускорить. Но время хранения заряда в ячейке упало в 16(!!!) раз по сравнению с SLC.
Оффтоп (Move your mouse to the spoiler area to reveal the content) аж интересно стало. Залез в ящик стола, нашел флешку, которой гарантированно несколько лет не пользовался. Подключил к компу. Все открылось. файлы копируются/записываются. Судя по дате файлов, самый свежий датируется 17 годом, т.е. 4,5 года к этой флешке не прикасались.
Возможно и нет, моя идея была в том что возможно не прописаные в FAT таблице как том ячейки памяти, не получают питание от контроллера флешки. Соответственно энергопотребление ее снижается. Надо пробовать. Оффтоп (Move your mouse to the spoiler area to reveal the content) Ошибка выжившего - впрочем у меня так же.
Не снизится. Микросхему вы не выпаяли, значит её потребление осталось прежним. Резерв ячеек уйдёт на переброску данных для равномерного распределения износа и перераспределения при долгом хранении в ячейках. Ничего общего с FAT внутри памяти нет. Раньше накопители (граммофон, CD, HDD, магнитная лента) писались последовательно, при перезаписи данных они фрагментировались. С наступлением эры микросхемы памяти только контроллер накопителя знает где на самом деле находятся ваши данные, они всегда фрагментированные, доступ к данным происходит мгновенно вне зависимости от того целиком они в одном месте или по байту с разных блоках микросхемы. Вы полагаете что ваши данные будут находиться в одном месте, но даже при первоначальной записи они будут размазаны тонким слоем по всей микросхеме.
Дело было в объеме, и не более того --- Сообщения объединены, 8 дек 2021, Оригинальное время сообщения: 8 дек 2021 --- Я читал это, а по факту распознает 16 гб без проблем
Вы действительно считаете, что QLC быстрее чем SLC? https://www.kingston.com/ru/solutions/pc-performance/difference-between-slc-mlc-tlc-3d-nand
Оффтоп (Move your mouse to the spoiler area to reveal the content) Чтение таких ячеек происходит быстрее. Условно - в SLC мы читаем блок данных 1 битовых ячеек, в QLC читаем такой же блок, но ячейки уже по 4 бита. Т.е. если в первом случае блок 1000 ячеек за такт прочитаем 1000бит, то во втором случае за такт 4000бит. С записью не такая закономерность. Для SLC достаточно записать ячейку за такт работы и всё, для QLC после записи требуется верификация (проверка заряда) т.е. ей для записи требуется два такта, что снижает производительность, но всё равно она выше чем у SLC (потому что пишем опять же 4 бита вместо 1). В статье, кстати нет ничего про QLC. После QLC появилась технология вертикального пирога из модулей памяти внутри одной микросхемы памяти, это уже 3D NAND (пирог может состоять из модулей памяти MLC(уже не производят), TLC, QLC). На текущий момент производятся модули памяти TLC, QLC, 3D NAND. MLC память перешла к серверам (для дома-работы её больше не купите, снята с производства для потребительского рынка около 2-х лет назад), а SLC память давно не производится (если только для космоса в единичных экземплярах, может ещё для спасателей и военных для защиты от воздействия радиации на память). 3D NAND отдельный вид памяти. Создана уже тогда когда процессоры стали многопоточными и в угоду им. В отличие от всех предыдущих типов памяти 3D NAND одновременно читает несколько слоёв своего пирога, т.е. скорость передачи данных во много раз выше чем у остальных модулей памяти. Эта микросхема памяти аналог RAID-массива жёстких дисков.
Скорее всего не снизится, USB флэшка состоит из двух частей, это контроллер памяти и сама память.Производитель на уровне прошивки записывает набор дескрипторов(описаний), этот набор передается в хост(ПК,телефон,Тах).Дескрипторы нужны для того, что бы USB хост понимал, что нужно использовать универсальный драйвер флэшки, каким образом будет происходит обмен данными, сколько будет потреблять устройство после конфигурирования.Когда мы только подключаем устройство в гнездо оно может потреблять лишь 100мА.Дальнейшее потребление зависит от дескриптора.В действительности микросхема память и контроллер будет меньше потреблять, но как только хост получит информацию из дескриптора, и выяснится, что устройство может потреблять слишком много, то отключит его.
Всем привет.Делаю USB флэшку для стареньких тахеометров Sokkia SET.В качестве памяти решил использовать SD флэшку.У меня на руках только 32 Gb накопитель, это слишком много, не позволяет форматировать в FAT, только в FAT32.В Windows 10, зашёл в управление дисками, разбил накопитель на 2 раздела.Первый 1 Gb, второй, то, что осталось.Появилась возможность отформатировать первый раздел в FAT и это сработало в моем проекте.Вот и подумал, что подобное можно сделать с большой флэшкой, для того, что бы ее видел прибор Sokkia, но к сожалению не проверял.
